تم صيانة المنتدي*** لا تغير فى سياسه من سياسات المنتدى اكتب ما تريد لان هذا حقك فى الكتابه عبر عن نفسك هذه ارائك الشخصيه ونحن هنا لاظهارها
جارى تحميل صندوق البحث لمنتدى الاقباط

العودة   منتدي منظمة أقباط الولايات المتحدة > المنتدى العربى > منتدى العلوم والتكنولوجيا
التّسجيل الأسئلة الشائعة التقويم جعل جميع المنتديات مقروءة

منتدى العلوم والتكنولوجيا يهتم هذا القسم بالانترنت و بالبرمجة والكمبيوتر و الموبايلات,معلومات عامة ..إستشارات ..كل ما هو جديد بالتكنولوجيا .....الخ

عرض نتائج التصويت: hey ppl, do you like this kind of issues?
Yeah, i like it so much 5 100.00%
Nope, i don't like it 0 0%
a lil' bit 0 0%
الناخبون: 5. لم تقم بالتصويت على هذا التصويت

المشاركة في الموضوع
 
خيارات الموضوع طريقة العرض
  #1  
قديم 03-02-2005
Eng.Junior Eng.Junior غير متصل
Registered User
 
تاريخ التّسجيل: Dec 2004
الإقامة: Cairo
المشاركات: 291
Eng.Junior is on a distinguished road
flower إنتل تبتكر تقنيات جديدة لصناعة الترانزستورات


تمكن باحثو إنتل من اكتشاف مواد جديدة تحل محل تلك المستخدمة في تصنيع الرقاقات منذ أكثر من 30 عاماً. ويعتبر هذا الابتكار اختراقاً هاماً في عالم تصنيع الرقاقات، مع سعي هذه الصناعة المستمر لتقليص معدل تسريب التيار الكهربائي في الترانزستورات. وجدير بالذكر أن هذه المشكلة تزداد أهمية بالنسبة لمصنعي الرقاقات خاصة في ضوء الاتجاه المتزايد لوضع أعداد أكبر من الترانزستورات على شرائح السليكون.
وقد طور باحثو إنتل ترانزستورات ذات أداء عال مستخدمين في ذلك مادة جديدة تسمى High-K لعوازل البوابات (gate dielectric) ومواد معدنية جديدة لبوابات الترانزستور. والبوابة تشغل الترانزستور وتوقفه، أما عازل البوابة فهو مادة رقيقة توضع تحت الترانزستور. وسوياً، تساعد المواد الجديدة على تقليص تسريب التيار الكهربائي الذي يؤدي إلى انخفاض طاقة البطارية ويُولَد حرارة غير مرغوب فيها. وتقول إنتل أن مادة High-K الجديدة تخفض معدل التسريب بأكثر من 100 مرة مقارنة بمادة ثاني أكسيد السليكون (SiO2) المستخدمة طوال العقود الثلاثة الماضية.
وكانت صناعة أشباه الموصلات تبحث منذ سنوات عن مواد جديدة للبوابة، لكن الصعوبات التقنية حالت دون حصول تطبيقات عملية. و علق سونلين تشو، نائب الرئيس والمدير العام لمجموعة التكنولوجيا والتصنيع في إنتل قائلاً: "إن هذا هو العرض المقنع الأوّل الذي يبرهن أن موادّ البوّابة الجديدة ستمكّن الترانزستورات من أن تعمل بشكل أفضل، وأن تتغلب على الحدود الجوهرية لمادة ثاني أكسيد السليكون التي تخدم الصناعة منذ أكثر من ثلاثة عقود. سوف تستخدم إنتل هذا التقدّم النوعي مع الابتكارات الأخرى، مثل السليكون المضغوط والترانزستورات ثلاثية البوابات (tri-gate), لتمديد تدريج الترانزستور وقانون مور".
وفقاً لقانون مور، يتضاعف عدد الترانزستورات على الرقاقة كل سنتين تقريباً، ما ينتج عنه المزيد من المزايا، وأداء أعلى، وتكلفة أقل لكل وحدة ترانزستور. وللمحافظة على وتيرة التطور هذه، يجب أن يستمر حجم الترانزستورات في الانكماش. ولكن، ومع المواد المستخدمة حالياً، بلغت القدرة على تصغير حجم الترانزستورات إلى أقصى حدودها، بسبب مشكلات تسريب الطاقة وارتفاع الحرارة. ولهذا، فمن الضروري لاستمرارية قانون مور أن تعتمد صناعة الرقاقات مواد جديدة وهيكليات مبتكرة.

حل High-K والبوابة المعدنية
يحتوي كل ترانزستور على مادة عازلة تسمى gate-dielectric والتي تعتبر حيوية لتشغيله. وقد كانت مادة ثاني أكسيد السليكون طوال الثلاثين سنة الماضية المادة المفضلة لهذا العنصر المهم في صناعة الترانزستور بفضل قابلية تصنيعها وقدرتها على توفير أداء محسن مستمر وبأحجام أصغر.
وقد نجحت إنتل في تصغير عوازل ثاني أكسيد السليكون إلى أحجام تصل سماكتها حتى 1،2 نانومتر (nm)، أي ما يوازي خمس طبقات ذرية فقط. وكلما رقت سماكة مادة ثاني أكسيد السليكون، يزيد معدل تسريب التيار الكهربائي من خلال gate-dielectric ما يؤدي إلى هدر الطاقة ونشر حرارة غير مرغوبة. ولحل هذه المشكلة، تنوي إنتل استبدال المادة المستخدمة حالياً بمادة high-k أكثر سماكة في gate-dielectric مما يخفض بقدر كبير معدل تسريب التيار الكهربائي.
والجزء الثاني من الحل هو تطوير مادة معدنية للبوابة، لأن مادة العزل الجديدة ليست متوافقة مع بوابة الترانزستور الحالية. وجمع high-k gate dielectric مع البوابة المعدنية يسمح بتقليص معدل تسريب التيار بنسبة كبيرة بينما يحافظ على أداء الترانزستور العالي جداً. وتعتقد إنتل أن هذه الاكتشافات الجديدة يمكن دمجها في عملية تصنيع اقتصادية لتصنيع الرقاقات بأعداد كبيرة.
وتهدف إنتل إلى دمج الترانزستورات المصنعة بواسطة هذه المواد الجديدة، في معالجات إنتل المستقبلية بحلول العام 2007، وذلك لتشكل جزءاً من عملية التصنيع 45-نانومتر التي تعتمدها الشركة.
الرد مع إقتباس
  #2  
قديم 08-02-2005
Eng.Junior Eng.Junior غير متصل
Registered User
 
تاريخ التّسجيل: Dec 2004
الإقامة: Cairo
المشاركات: 291
Eng.Junior is on a distinguished road
puzzl هيوليت باكرد تنتج شريحة كمبيوتر بسمك نانومتر

طور علماء بشركة هيلويت باكارد طبقة من الجزئيات سماكتها 3 من البليون من المتر، وهو ما يعادل "نانومتر.
ويرى التقنيون أن من شأن هذا الانجاز احداث ثورة في عالم شرائح الكمبيوتر، لقدرة الطبقة الجديدة على اختزان البيانات، والمعالجة بالاستغناء عن الترانزستورات التي دمغت صناعة الشرائح ولا تزال.
ويتوقع الخبراء أن تصبح هذه التقنية هي السائدة في السنوات المقبلة، حيث كان التوجه في السنوات الأخيرة إلى استخدام التكنولوجيا الدقيقة نانو تكنولوجي في بناء أجهزة الكمبيوتر والبرمجيات.
الرد مع إقتباس
المشاركة في الموضوع


عدد الأعضاء الذي يتصفحون هذا الموضوع : 1 (0 عضو و 1 ضيف)
 
خيارات الموضوع
طريقة العرض

قوانين المشاركة
You may not post new threads
You may not post replies
You may not post attachments
You may not edit your posts

BB code is متاح
كود [IMG] متاح
كود HTML غير متاح

الإنتقال السريع


جميع الأوقات بتوقيت امريكا. الساعة الآن » 03:03 AM.


Powered by: vBulletin Version 3.8.6
Copyright ©2000 - 2022, Jelsoft Enterprises Ltd.

تـعـريب » منتدي الاقباط